Technologie zpracování polovodičů arsenidu galia (GaAs).
Zavedení
Požadavky na aplikaci
Specifikace systému
Průběh zpracování
Případ zákazníka
Gallium Arsenid (GaAs) je široce používán ve vysokofrekvenční{0}}komunikaci, fotoelektrické konverzi, solárních článcích a mikrovlnných zařízeních díky své vysoké mobilitě elektronů, přímému bandgapu a vynikajícímu vysokofrekvenčnímu výkonu. Zařízení založená na GaAs- hrají nezastupitelnou roli v komunikaci 5G, radarových systémech a integrovaných optoelektronických obvodech. Aby byly splněny požadavky na vysoce-výrobu zařízení, vyžadují destičky GaAs přesné broušení, aby se odstranilo poškození řezem, následované chemicko-mechanickým leštěním (CMP), aby se dosáhlo ultra-hladkého povrchu, což zajišťuje přesnost a spolehlivost následné výroby zařízení.
Požadavky na aplikaci
Zpracování plátků GaAs musí dosáhnout následujících cílů:
Drsnost povrchu: Po-leštění Ra Menší nebo rovno 1 nm
Variace celkové tloušťky (TTV): Finální plátek TTV Menší nebo rovna 2 µm
Kontrola tloušťky: Cílová tloušťka 150 µm (podle požadavků zákazníka)
Rovinnost hran: Zabraňte odštípnutí a zajistěte integritu oblasti zařízení.
Specifikace systému
HSM Precision Lapping and Polishing System poskytuje kompletní{0}}procesní řešení.
Průběh zpracování
Příprava lapování
Ke kalibraci konvexity skleněné desky pro lapování použijte zkušební měřidlo rovinnosti (používá se ke kompenzaci efektů leštění hran).
Vložte wafer GaAs na vyhrazený přípravek (ASJ). Proveďte dvou{1}}lapování pomocí oxidu hlinitého:
Fáze 1: Odstraňte předchozí poškození a snižte drsnost na 250-350 nm.
Fáze 2: Zlepšení rovinnosti, dosažení drsnosti 200-350 nm a TTV menší nebo rovné 3 µm.
Poznámka: Velikost brusných částic by měla být určena na základě počáteční a konečné tloušťky vzorku; neexistuje žádná pevná velikost brusiva.
Příprava na leštění
Vyměňte brusnou desku za leštící podložku a přepněte brusivo na specializovanou leštící kaši HSM.
Ovládání klíčových parametrů prostřednictvím grafického rozhraní:
Rychlost leštící desky: Menší nebo rovna 100 ot./min
Průtok kejdy: Monitorováno-systémem řízení odkapávání v reálném čase (snižuje plýtvání)
Tlakové zatížení: Dynamicky upravované na základě požadavků na tloušťku.
Cíl: Odstraňte podpovrchové poškození{0}} a získejte atomově hladký povrch (Ra menší nebo rovno 1 nm).
výsledky
4-palcové wafery GaAs zpracované systémem HSM-LP dosáhly následujícího výkonu:
Případ zákazníka
Zákazník použil systém HSM-LP ke zpracování 3palcového waferu GaAs. Postup a výsledky jsou následující:
Dvoufázové{0}}broušení:
Konvexnost brusné desky kalibrovaná na cílové zakřivení, účinně kontroluje deformaci hran.
Materiál se odstraňuje postupně pomocí suspenze oxidu hlinitého, TTV se stabilizuje na 3 um.
Leštění:
Průtok leštící kaše nastaven na 50 ml/min, rychlost desky 80 ot./min.
Drsnost povrchu snížena z 250 nm na 0,8 nm (ověřeno interferometrem bílého světla).
Konečné metriky:
Tloušťka: 150 ± 0,5 um
Plochost: TTV Menší nebo rovna 1 µm
Integrita hran: Žádné vylamování, dobrá rovinnost hran.
Technické ověření
Schéma: Morfologie povrchu waferu GaAs po zpracování systémem HSM-LP.
Poznámky:
Měřicí vybavení: interferometr bílého světla Bruker ContourGT
Plný{0}}výtěžnost procesu: větší nebo rovna 96 % (velikost dávky 30 plátků)
