Technologie zpracování polovodičů s fosfidem india (InP).
Obsah
Zavedení
Požadavky na aplikaci
Specifikace systému
Průběh zpracování
Případ zákazníka
Požadavky na aplikaci
Zpracování waferů InP musí dosáhnout následujících cílů:
Drsnost povrchu: Po-leštění Ra Menší nebo rovno 1 nm
Variace celkové tloušťky (TTV): Finální plátek TTV Menší nebo rovna 2 µm
Kontrola tloušťky: Cílová tloušťka 150 µm (podle požadavků zákazníka)
Plochost hran: Vyrovnává deformaci hran během fáze leštění pomocí konvexní brusné desky.
Specifikace systému
HSM Precision Grinding and Polishing System poskytuje kompletní{0}}procesní řešení.
Průběh zpracování
Příprava broušení
Použijte zkušební měřidlo rovinnosti ke kalibraci konvexity skleněné brusné desky (používá se ke kompenzaci efektů leštění hran).
Vložte InP wafer do vyhrazeného zařízení (ASJ). Proveďte dvoustupňové broušení-za použití suspenze oxidu hlinitého:
Fáze 1:Odstraňte poškození řezem a snižte drsnost na 250-350 nm.
Fáze 2: Zlepšete rovinnost, dosáhněte drsnosti 200-350 nm a TTV menší nebo rovné 3 µm.
Příprava na leštění
Vyměňte lapovací desku za leštící podložku a přepněte brusivo na specializovanou leštící kaši HSM.
Ovládání klíčových parametrů prostřednictvím grafického rozhraní:
Rychlost leštící desky: Menší nebo rovna 100 ot./min
Průtok kejdy: Monitorováno-systémem řízení odkapávání v reálném čase (snižuje plýtvání)
Tlakové zatížení: Dynamicky upravované na základě požadavků na tloušťku.
Cíl: Odstraňte podpovrchové poškození{0}} a získejte atomově hladký povrch (Ra menší nebo rovno 1 nm).
Výsledky
2-palcové InP wafery zpracované systémem HSM-LP dosáhly následujícího výkonu:
Případ zákazníka
Zákazník použil systém HSM-LP ke zpracování 2palcových (50 mm) waferů InP. Postup a výsledky jsou následující:
Dvoufázové broušení:
Konvexnost lapovací desky kalibrovaná na cílové zakřivení (aby se zabránilo deformaci hran).
Materiál se odstraňuje postupně pomocí suspenze oxidu hlinitého, TTV se stabilizuje na 3 um.
Leštění:
Průtok leštící kaše nastaven na 50 ml/min, rychlost desky 80 ot./min.
Drsnost povrchu snížena z 350 nm na 1 nm (ověřeno profilometrem Dektak).
Konečné metriky:
Tloušťka: 150 ± 0,5 um
Plochost: TTV Menší nebo rovna 1 µm
Integrita hran: Bez odlamování.
Technické ověření
Schéma: Morfologie povrchu InP waferu po zpracování systémem HSM-LP.
Poznámky:
Měřicí vybavení: interferometr bílého světla Bruker ContourGT
Plná{0}}výtěžnost procesu: větší nebo rovna 98 % (velikost dávky 80 destiček)
